非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法
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TN303 TN304.26

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STUDY OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN SEMICONDUCTORS BY CONTACTLESS MEASUREMENT METHOD:MICROWAVE REFLECTANCE TECHNIQUE
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    介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法,并与通常的光电导衰退法进行了比较。

    Abstract:

    A contactless method of microwave reflectance (MR) measurement for the minority carrier lifetime in semiconductors was introduced and compared with the photoconduction decay (PCD) measurement method.

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    引证文献
引用本文

王正秋 龚海梅.非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):77~80]. Wang Zhengqiu Gong Haimei Li Yanjin Zhou Baoqing Fang Jiaxiong. STUDY OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN SEMICONDUCTORS BY CONTACTLESS MEASUREMENT METHOD:MICROWAVE REFLECTANCE TECHNIQUE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):77~80.]

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