高勇,张翔九
TN252
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。
高勇,张翔九. Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):33~37].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):33~37.]
