砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN304.22 TN305.3

基金项目:


RESONANT RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF THE ANNEALING EFFECTS OF THE As ION IMPLANTED CdTe FILMS
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了As离子注入CdTeMBE外延膜的热退火行为。发现随着退炎温度升高至440℃,其晶格恢复和缺陷态消除得最完整当TA高于440℃,晶格质量陡峭地下降,TA越高,越多的As占据Te位作为Te位受主,样品表现为更小的补系数和更高的空穴浓度。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张家明 郭世平.砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):23~28]. Zhang Jiaming Guo Shiping Yuan Shixin Shen Xuechu. RESONANT RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF THE ANNEALING EFFECTS OF THE As ION IMPLANTED CdTe FILMS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):23~28.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码