O471.4 TN304.22
报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。
沈文忠,唐文国.应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):11~17]. Shen Wenzhong Tang Wenguo Shen Xuechu. SPECTROSCOPIC STUDIES OF STRAINED In 0.20 Ga 0.80 As/GaAs SINGLE QUANTUM WELL[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):11~17.]
