MOCVD生长GaV的喇曼散射谱
中图分类号:

TN304.22 O47

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    对在GaAs、Al2O3和Si等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到α相GaNl模,Al模El模和E2模,结合射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN喇曼谱与GaN外延层的结构相,完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段。

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引用本文

童玉珍 张国义. MOCVD生长GaV的喇曼散射谱[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):6~10].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):6~10.]

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