InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
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O471.3

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INTERSUBBAND RELAXATION IN InGaAS/Geds AND InGaAS/AIGaAS STRAINED-LAYER QUANTUM WELLS
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    摘要:

    利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。

    Abstract:

    The dynamics of the intersubband relaxation of carriers in the InGaAs/GaAs and InGaAs/AIGaAs quantum wells with different well-widths was investigated with the use of time-resolved spectroscopy in the temperature range from 11 to 90K.The different scattering mechanisms,which are dominant in the carriers relaxation processes in the quantum wells of the two systems were discussed.

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引用本文

金世荣 徐仲英. InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程[J].红外与毫米波学报,1995,14(3):237~240]. Jin Shirong, Luo Jinsheng, Chu Junhao. INTERSUBBAND RELAXATION IN InGaAS/Geds AND InGaAS/AIGaAS STRAINED-LAYER QUANTUM WELLS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1995,14(3):237~240.]

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