TN213
在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构。报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果。研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普遍ＭＩＳ器件的高频Ｃ－Ｖ曲线。
邱岳明 刘坤. HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容—电压谱研究[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):73~76].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(1):73~76.]
