TN213
提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。
彭中灵 袁讨鑫.分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):53~58]. Peng Zhongling, Yuan Shixin. MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE-MATCHED HgSe/ZnTe SUPERLATTICE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(1):53~58.]
