TN304.01
使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阱结构。在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化。在０．３～４．２Ｋ（＾３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻。观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡。根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中
韦亚一 彭正夫. Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):37~43]. Wei Yayi, Zheng Guozhen, Guo Shaoling, Tang Dingyuan.[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(1):37~43.]