高电场下In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As宽量子阱中11h激光电…
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    研究在外加电场0~50kV/cm范围内,In0.53Ga0.47as/In0.52al0.48宽量子阱电透射光谱中11h激子跃迁的谱线宽度(FWHM)。它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽(高斯型)和由外场引起的均匀展宽(劳伦兹型)。用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积,再与实验光谱拟合。谱线总宽度T、高斯展宽成份TG及线性叠加系数η均作为拟合参数得到,从而可得劳伦兹展宽TL。将

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引用本文

冷静 Dimou.,A.高电场下In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As宽量子阱中11h激光电…[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):27~32].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(1):27~32.]

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