TN215
运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数。结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符。
杨立新 姜山. GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱红外探测器的光调制光谱研究[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):21~26].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(1):21~26.]
