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GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究
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TN215

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STUDY OF CHARACTERISTICS OF GaAs/AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR
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    测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。

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引用本文

黄醒良 李言谨. GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究[J].红外与毫米波学报,1993,12(4):301~308]. HUANG XINGLIANG, FANG XIAOMING, LU WEI, SHEN XUECHU. STUDY OF CHARACTERISTICS OF GaAs/AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR[J]. J. Infrared Millim. Waves,1993,12(4):301~308.]

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