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分子束外延生长GexSi1—x的原位俄歇定量分析
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TN304.23

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国家自然科学基金


ACCURATE IN-SITU AUGER ANALYSIS OF MBE-GROWN Ge_xSi_(1-x)
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    通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有效手段,相对误差在10%以内.讨论了Ge的偏析现象,在x>0的情况下Ge偏析不致于影响上述测量方法的准确性.

    Abstract:

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引用本文

卫星 周铁城.分子束外延生长GexSi1—x的原位俄歇定量分析[J].红外与毫米波学报,1992,11(2):103~107]. Wei Xing, Zhou Tiecheng, Yang Xiaoping, Yu Mingren, Zhang Xiangjiu, Sheng Chi, Wang Xun. ACCURATE IN-SITU AUGER ANALYSIS OF MBE-GROWN Ge_xSi_(1-x)[J]. J. Infrared Millim. Waves,1992,11(2):103~107.]

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