利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz~(1/2)·W~(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W~(-1).
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz~(1/2)·W~(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W~(-1).
方晓明 周小川.7μmGaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器[J].红外与毫米波学报,1992,11(1):43~46]. Fang Xiaoming, Huang Xinhang, Liu Wei, Li Yanjin, Shen Xuechu.[J]. J. Infrared Millim. Waves,1992,11(1):43~46.]
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