未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

中国科学院科学基金


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n~0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n~0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α~(-1)。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

朱永刚,孙恒慧.未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱[J].红外与毫米波学报,1990,9(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1990,9(5).]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码