HgCdTe光导探测器的低频噪声
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    Hg_0.73Cd_0.27Te光电导探测器的低频噪声频谱呈1/f关系,测得不同样品的S_v/V~2值随偏置电场变化而变化,说明陷阱效应引起载流子数起伏是主要的低频噪声源,只有表面状态较为理想的样品的S_v/V~2值才接近Hooge关系的计算值,迁移率起伏上升为主要的1/f噪声源.Hooge关系可以作为区分陷阱效应和迁移率起伏两类噪声源的判別标准.

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引用本文

朱惜辰,姚英. HgCdTe光导探测器的低频噪声[J].红外与毫米波学报,1989,8(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(5).]

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