在0.3～4.2K温度范围,观察到N-型碲镉汞的磁场诱发的金属-绝缘体转变,报道了纵向磁阻在很低的磁场下激活.讨论了纵向磁阻和横向磁阻的各向异性和反常“霍尔系数下凹”区的行为.
郑国珍,屈敏飞,郭少令,陈建湘,宋祥生,汤定元. L~3He温度下碲镉汞量子输运特性[J].红外与毫米波学报,1989,8(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(2).]
