用交流热激电流(ATSC)方法研究了x=0.195～0.275的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的物理性质。实验表明交流热激电流方法(ATSC)是研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的一种有效方法。
林和,汤定元.用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级[J].红外与毫米波学报,1988,7(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1988,7(4).]
