中国科学院基金
本文介绍测量硅晶片应力的红外光弹系统及方法。对硅晶片进行了四点简支梁模型的加压实验,其应力测量的结果与理论计算的结果基本符合;并测量了某些半导体器件模拟工艺在硅片内引入的应力。
覃甘明,梁汉成,赵寿南,尹洪辉.硅晶片应力的红外光弹测量[J].红外与毫米波学报,1988,7(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1988,7(2).]
