Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性
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    测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应,进行了理论计算,高频情况下还考虑了少子在反型层中的再分布。对各种组份(x=0.2~0.56)的N型和P型Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件进行了变频(f=20~10MHz)和变温(T=26~200K)C-V测量。对于x=0.3的器件,测得其固定正电荷密度为8~10×10~(11)cm~(-2),80K下慢界面陷阱密度为4~10×10~(10)cm~(-2),最小界面态密度为1.7~2×10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)。

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

黄河,童斐明,汤定元. Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性[J].红外与毫米波学报,1988,7(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1988,7(2).]

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