用DLTS法研究高镉组份碲镉汞的深能级
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    用深能级瞬态谱(DLTS)研究用于制备1.3~1.55μm光纤通信探测器的高镉碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,x>0.5)混晶的深能级。观察到了一个位于禁带中央的深能级以及几个在实验器件制备过程中引入的深能级。研究表明,电容瞬态过程是非指数形式的。基于合金无序导致能级展宽,对实验曲线作了拟合,推导出禁带中央能级的展宽度。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

唐晓慧,张景韶,宋炳文.用DLTS法研究高镉组份碲镉汞的深能级[J].红外与毫米波学报,1987,6(6):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1987,6(6).]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码