着重讨论了光热辐射光谱(PTR)技术的探测灵敏度问题,用该方法测量了Cu_2O和GaAs两种材料的吸收边。测出Cu_2O的吸收边在631.5nm和641.0nm处明显有两个拐点,但用于GaAs基本吸收边测量时,其信号约比Cu_2O的信号小一个数量级。分析指出,当所选红外探测器的响应波长范围刚好与被研究材料的红外强辐射带一致时,可大大提高PTR的探测灵敏度。