基于K-K关系对高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体N-GaAs和N-InP的反射谱用170SX型FT-IR仪器在50～27500cm~(-1)范围进行了数据处理,求出等离子体频率ω_p、阻尼系数γ、载流子浓度n、迁移率μ、电阻率ρ等重要的电学参数。
徐谨民,邵丽影,王永泰,林.应用K-K关系测量高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的电学参数[J].红外与毫米波学报,1987,6(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1987,6(4).]
