讨论了影响0.1eVHgCdTe光导器件性能的因素,除考虑表面复合和背景辐射外,还考虑了器件不同厚度对其性能的影响,从过剩载流子的连续性方程,采用在厚度方向上载流子浓度取平均的方法,推导了量子效率的普遍表达式,求解了由带间俄歇过程所限制的少数载流子寿命、电子和空穴浓度以及量子效率间的自洽关系,讨论了器件的性能。得出结论:(1)当背景辐射通量φ_B>10~(16)cm~(-2)s~(-1)时,随着φ_B的增大,器件响应率R_λ、探测率D_λ及少