SiO_2α辐照热释光的研究
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    通过测量高纯光纤用非晶SiO_2和高纯精制石英晶矿经α射线辐照后产生的2.6eV热释发光(50~450℃),讨论了α射线在SiO_2中产生缺陷的机制、E′心基态电子陷阱的分布及辐射热释光的紫外猝灭。确定了高纯晶体石英颗粒的热释发光具有三个本征峰。

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引用本文

童少颖,侯兰田,韩玉华. SiO_2α辐照热释光的研究[J].红外与毫米波学报,1987,6(1):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1987,6(1).]

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