本文系统地研究了窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.204)带间跃迁的动态Burstein-Moss效应。利用可调谐连续波CO_2激光的波长与100K时HgCdTe的能隙相匹配可在相当弱的光强下获得极大的非线性效应,观察到吸收系数随单色光光子能量的变化和随光强增加的吸收饱和现象,实验结果与我们的公式符合较好。