用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光强度增强,热缺陷减少了非辐射复合中心。高于550℃时,光致发光强度减弱,热缺陷增加了非辐射复合中心。光致发光强度与热缺陷腐蚀斑密度有关。
宗祥福,翁渝民,高建荣,邵玲.热处理硅中缺陷对室温光致发光的影响(详细摘要)[J].红外与毫米波学报,1985,4(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1985,4(5).]
