在用辉光放电方法制备α-Si∶H薄膜材料时,氧是一个主要沾污杂质,因此研究氧对α-Si∶H材料特性的影响是很有意义的。本文主要通过红外吸收光谱、光学带隙E_g~(opt)和Urbach吸收边的斜率W值的测量,来研究掺氧非晶硅薄膜的光吸收特性。非晶硅膜在电容耦合辉光放电反应器中生长,衬底为高阻C-Si衬底(用于红外吸收光谱测量)和7059玻璃衬底(用于反射率和透射率测量);反应气体为5%SiH_4 Ar,掺氧时