本文研究了用高频辉光放电方法生长的微晶Si:H(μc-Si:H)薄膜中由光激发产生的自由载流子吸收。测量采用双光束法:一个是Ar离子激光光束,起激发载流子作用,另一个是红外光束,起探测作用。被激发的处在传导带的载流子或激发之后又陷在带尾局域态的载流子吸收了探测光的能量,跳到更高的能级。由透过样品的探测光的相对改变量