本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~ 离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情况下,离子注入会在半导体中造成局域能级,在高剂量下离子注入则使半导体晶片的晶格完全破坏,变成非晶硅。光谱测试表明,在1.1～1.38μm波长范围内,单晶硅几乎是
苏九令,包宗明,王昌平,陆桂华,倪玫,吴树恩,黄正义,杨中柱,陈肯.用光声谱研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]
