随着LSI、大功率器件、红外探测器等器件的发展,元件制造技术的提高,对Si材料提出了愈来愈高的质量要求,尤其是Si材料中的微量杂质,因为它的含量及其浓度分布直接影响元件的性能与成品率,所以对杂质含量的分析显得十分重要。测定杂质分布最常用的手段是先测定电阻率,再根据Irvin曲线求出载流子浓度|N_o-N_A|,但这种方法不能测出
王昌平,刘彬,吴晓毅,苏九令,缪伯才,钱佑华.半导体低温激光荧光光谱测定硅中的硼磷含量[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]
