目前半导体中深能级探测的实验技术大致可以分为三类,即结电容技术、光谱技术和电子顺磁共振技术。本文介绍用光谱技术对N型砷化镓中若干深能级所做的研究,包括光荧光、阴极荧光与阴极荧光瞬态的测量,以及对深中心的能级、起源和电子-声子耦合等的初步分析。采用两种样品:在N型GaAs衬底上用MOCVD外延的N型GaAs(掺S)的样品和