有关半导体的纵向负磁阻的现象在InSb等材料中有过研究,而对Hg_(1-x)Cd_xTe而言,所见的报道却很少。为了进一步评价材料的电学性质,探讨其散射机理,有必要对Hg_(1-x)Cd_xTe材料进行这方面的工作。我们对x=0.13～0.20的不同浓度的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在SdH区及量子极限区观察到了由电离杂质散射引起的纵向负磁阻,其特性表现如下:
郑国珍,梁勇,郭少令,郑迎. Hg_(1-x)Cd_xTe的纵向负磁阻研究[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]
