用红外光弹仪测量研究硅单晶应力
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    本文报道了用红外光弹观测仪定量测量和研究硅单晶残余应力,测定主应力方向和主应力差。为定量计算主应力差,我们给出了几种判别干涉条纹级次的方法。介绍了硅单晶出现残余应力的几种情况。

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引用本文

周佐平,余焕霓,杜警鸣,肖克波,李文江.用红外光弹仪测量研究硅单晶应力[J].红外与毫米波学报,1983,2(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1983,2(4).]

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