非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度
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    本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1 3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g~(3/2)T~(3/2) [1 1.9E_g~(3/4)exp(Eg/2kT)]~(-1), 该式适用于x=0.17~0.37,T≤300K范围,式中Eg(eV)=-0.295 1.87x-0.28x~2 (6-14x 3x~2)(10~(-4))T 0.35x~4。本文还测量了不同组份Hg_(1-x)CdxTe样品(x=0.19~0.251)在77K~300K温度范围的本征载流子浓度。将上述公式的计算结果与本文实验结果及其他作者实验结果相比较表明,该式在x=0.19~0.29,T=77~300K范围与实验符合很好。

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引用本文

褚君浩,王戎兴,汤定元.非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度[J].红外与毫米波学报,1983,2(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1983,2(4).]

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