本文介绍在InSb多元列阵和硅COD的电极上生长铟柱,用红外显微镜实现铟柱对准,以及正照射式互连结构。以上方法具有工艺简单、结构紧凑、易于实现之优点。1.铟柱生长在InSb多元列阵的金电极上和硅COD的铝电极上电镀铟柱,这一工艺比表面处理
陈新强,胡文军,何钜华. InSb混成红外CCD铟柱互连[J].红外与毫米波学报,1983,2(3):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1983,2(3).]
