分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化
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上海技术物理研究所

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国家杰出青年科学基金


Simulation and design of HgCdTe nBn detectors grown by MBE
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SITP

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    摘要:

    通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件,为获得高性能MBE外延HgCdTe nBn红外探测器提供重要参考.

    Abstract:

    In this paper, 2-D numerical simulation was performed on HgCdTe nBn detectors to study the photoelectric characteristics. We changed the parameters of each layer of HgCdTe nBn structure, including thickness, doping concentration and Cd composition, to study the variation of performance of nBn devices. We also proposed an optimal nBn structure for achieving high performance of HgCdTe nBn Detectors.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

沈川,陈路,傅祥良,王伟强,卜顺栋,何力.分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化[J].红外与毫米波学报,2016,35(3):271~274]. SHEN Chuan, CHEN Lu, FU Xiang-Liang, WANG Wei-Qiang, PU Shun-Dong, HE Li. Simulation and design of HgCdTe nBn detectors grown by MBE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2016,35(3):271~274.]

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  • 收稿日期:2015-09-22
  • 最后修改日期:2015-11-11
  • 录用日期:2015-11-12
  • 在线发布日期: 2016-07-28
  • 出版日期: 2016-07-28
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