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石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成
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复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学

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国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目）


High-k gate oxides integration of graphene based infrared detector
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State Key Lab of ASIC & System and School of Microelectronics,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学

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    摘要:

    从石墨烯发现与制备出发，综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性，及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用，并介绍了目前各种先进工艺.

    Abstract:

    This review gives an introduction to the discovery and fabrication of the graphene, back-gated and top-gated GFET with the possible tunable band-gap of 0~250 meV at room temperature for middle and far infrared detector application, radio frequency GFET application and other advanced high k gate oxides integration processes.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

周鹏,魏红强,孙清清,叶立,陈琳,吴东平,丁士进,张卫.石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成[J].红外与毫米波学报,2012,31(2):118~121]. ZHOU Peng, WEI Hong-Qiang, SUN Hai-Tao, YE Li, CHEN Lin, WU Dong-Peng, DING Shi-Jin, ZHANG Wei. High-k gate oxides integration of graphene based infrared detector[J]. J. Infrared Millim. Waves,2012,31(2):118~121.]

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  • 收稿日期:2011-02-24
  • 最后修改日期:2011-06-24
  • 录用日期:2011-04-10
  • 在线发布日期: 2012-04-23
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