摘要:近年来，红外探测器技术发展迅速，在国防、气象、红外遥感和航空航天等众多领域应用广泛。作为中波红外波段最重要的探测器之一，锑化铟(InSb)红外焦平面探测器具有量子效率极高、暗电流小、器件响应线性度高、稳定性好、灵敏度极高等特点，因此备受人们的关注和重视。InSb焦平面探测器性价比高，优势十分突出，其快速发展在很大程度上提高了红外整机性能，同时还覆盖了导弹精确制导、卫星预警探测、机载搜索侦察、红外成像及消防、医疗、电力检测、工业测温等军民两用领域。梳理了国外发达国家在InSb红外焦平面探测器方面的研究情况，分析了其发展方向并对发展前景及趋势进行了展望。

摘要:目前，高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展，并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。

摘要:以光学薄膜理论为出发点，系统介绍了3.7～4.8 m带通滤光膜的理论设计与优化、实际生产制备以及成品测试方法。考虑到膜料性能及膜层匹配等问题，分别选用锗和一氧化硅作为高低折射率材料，并以氧化铝作为薄膜基底。确定了滤光膜的基础膜系，并使用Filmaster软件对膜系进行了设计和优化计算。在薄膜蒸镀过程中，根据材料选取合适的镀制工艺。通过温度控制、离子辅助等方法研制出了可靠性与光谱特性皆优的带通滤光膜，并对其光谱特性及膜层质量等进行了测试。根据设计目标修改工艺参数，最终确定可行的工艺流程，从而研制出了符合光学性能设计指标的3.7～4.8 m带通滤光膜。

摘要:基于IHP锗硅BiCMOS工艺，研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路，并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路，每级电路采用了共基极（Common Base, CB）电路结构，利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal, MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V，功耗为25 mW，在220 GHz频点处实现了16 dB的增益，3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路，每级都采用共射共基的电路结构，放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V，功耗为234 mW，在224 GHz频点实现了22 dB的增益，3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。

摘要:介绍了工业X射线CT测试仪在红外焦平面探测器中的应用。利用CT可以非破坏性地对杜瓦组件和制冷机进行探伤分析，尤其是探测内部结构故障和缺陷，提高故障问题分析能力和解决效率，为组件返修提供充分依据。后续还能够根据需求筛选合格样品，提高了产品的用户体验，是后续生产工艺的重要保障。

摘要:红外成像器件和红外成像制导技术的飞速发展，导致了红外成像制导武器的迅速发展。红外成像制导反舰导弹已成为各国海军的主要作战武器之一。红外成像制导反舰导弹对海军作战舰船构成了极大的威胁。从导弹制导原理及攻击方式着手，研究了对抗设备的性能、特点及其对抗措施。通过分析导弹的工作模式和光电对抗设备的基本原理，初步探讨了对抗红外成像制导的反舰导弹的实施方案，为红外成像制导武器的使用和舰船对抗红外成像制导导弹提供了技术支撑。