InGaN多量子阱激光器在SLA RP技术中的应用
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TH16

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Application of Multi-quantum Well Laser with InGaN Semiconductor in SLA RP System
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    摘要:

    简单介绍了快速成型及其光固化(SLA)技术,分析了SLA中各种激光器光源的特点.通过对量子阱原理的介绍,重点讨论了InGaN基多量子阱激光器及其作为SLA的激光器光源的优点.最后对InGaN基多量子阱激光器的发展应用进行了展望.

    Abstract:

    The rapid prototyping and Sterelithgraphy Apparatus (SLA) are presented in brief. Through the description of the principle of a quantum well, the InGaN-based multi-quantum well laser and its advantages as the laser source for SLA are further discussed. Finally, the development and applications of the InGaN-based multi-quantum well laser are forecasted.

    参考文献
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    引证文献
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李广宏,朱林泉. InGaN多量子阱激光器在SLA RP技术中的应用[J].红外,2007,(2):36-39.

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  • 最后修改日期:2006-10-13
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