本文介绍用标准的 n 阱 CMOS 工艺方法实现的两种低成本非致冷红外微测辐射热计探测器，并对它们的性能进行了比较，其中一种探测器基于悬置式 n 阱电阻器，它是用0.8μm 的 CMOS 工艺方法制作的，其像元尺寸为80μm×80μm,占空因数为13%；另一种探测器基于悬置的p~+激活/n 阱二极管，这是用0.35μm 的 CMOS 工艺方法制作的，其像元尺寸为 40μm×40μm，占空因数为44%,在 CMOS 制作之后，这些探测器用简单的整体微机械加工方法即可获得，无需任何复杂的平版印刷或者淀积工序，