硅热电堆探测器件及制作
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TP212 TN215

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    针对实现红外技术在夜间和一些死角方面应用的视觉辅助系统,把微机械加工技术和制作微细红外吸收膜的工艺应用到CMOS技术中,使热电堆实现了高性能化.利用运用PSG替代层的分离法制作用低压真空蒸镀法成膜的金黑膜,使吸收膜实现了微细化.制作出三种160 μm见方的原型传感器,它们在大气中的灵敏度分别达到300 V/W、149 V/W、60 V/W,响应时间常数达2 ms、0.46 ms、0.27 ms.还利用原型传感器制成了64×32像元焦平面列阵传感器(FPA).

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引用本文

广田正树 森田信一 江涛.硅热电堆探测器件及制作[J].红外,2001,(1):22-25.

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